Новости

Компания Infineon Technologies выпустила новую серию транзисторов OptiMOS^TM Linear FET. Новое семейство сочетает в себе лучшее в своем классе сопротивление во включенном состоянии (R _DS(on)) как у trench MOSFET и расширенную область безопасной работы свойственную планарному MOSFET. Новые транзисторы представляют собой компромисс между низким R _DS(on)  и пригодностью MOSFET транзистора работать в линейном режиме. OptiMOS^TM Linear FET могут работать в области насыщения MOSFET с режимом обогащения канала.

Это отличное решение для устройств «горячей замены», электронных предохранителей и защитных приложений, обычно используемых в телекоммуникациях и системах управления аккумуляторами (battery management systems (BMS).

Кроме того, устойчивый линейный режим работы и более высокий импульсный ток позволяют сократить коммутационные потери, ускорить начало работы и сократить время отключения оборудования. Транзисторы OptiMOS Linear FET предотвращают отказы при коротком замыкании в нагрузке, за счёт ограничения пусковых токов.

Сравнение области безопасной работы:

Сопротивление во включенном состоянии меньше на 58%, по сравнению с ближайшей альтернативой:

Ассортимент транзисторов семейства OptiMOS^TM Linear FET с рабочим напряжением 100, 150 и 200В

* выпуск запланирован на Август, 2017

Доступность

Транзисторы OptiMOS Linear FET доступны для заказа в трех классах напряжения: 100, 150 и 200В. Изготавливаются в корпусах D²PAK or D²PAK 7pin. Стандартный корпус позволяет легко заменить компоненты в существующий системах.

Подробнее  www.infineon.com/optimos-linearfet.

Сохранить