  Новости
Новая технология производства SiC силовых MOSFET с рекордным КПДКомпания Mitsubishi Electric Corporation объявила о создании нового карбид-кремниевого (SiC) силового кристалла с самым высоким КПД* в своем классе. Новые кристаллы разрабатывались для установки в силовые модули и не требуют быстродействующей защитной цепи для отключения питания при скачках тока. Новые компоненты помогут повысить надежность и КПД оборудования силовой электроники, которое используется во многих областях: домашняя электроника, промышленная техника и железнодорожный транспорт. *На сегодняшний момент новый SiC ключ имеет наивысший КПД среди силовых транзисторов класса 1200, при этом время короткого замыкания превышает 8 мкс
Mitsubishi Electric впервые объявила о разработке нового SiC кристалла на международной конференции, прошедшей с 17 по 22 сентября в 2017 году (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017).
Повышенная надежность и эффективность новых кристаллов обуславливается новой запатентованной структурой истока. В традиционных MOSFET транзисторах область истока формируется как отдельная зона. Компания Mitsubishi Electric ввела дополнительную зону в область истока для контроля последовательного сопротивления SiC-MOSFET транзистора (рис.1). Использование такой структуры уменьшает плотность избыточных токов в случае короткого замыкания. В результате, сопротивление во включенном состоянии SiC-MOSFET транзистора сократилось на 40% при комнатной температуре, потери мощности - больше, чем на 20% (рис.2), по сравнению с традиционными SiC-MOSFET транзисторами. Упрощенная топология структуры позволяет использовать технологию в SiC-MOSFET транзисторах с различными рабочими напряжениями. Проверенная и испытанная технология, использующаяся для защиты кремниевых компонентов от разрушения при коротком замыкании, может быть использована в рассматриваемых SiC-MOSFET транзисторах без доработки. Это гарантирует простоту реализации защитных функций в оборудовании силовой электроники, в которой используются SiC-MOSFET транзисторы. Подробнее http://www.mitsubishielectric.com/news/2017/0922.html
Добавить свой комментарий |
