Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

29.11.2017

Новая технология производства SiC силовых MOSFET с рекордным КПД

Компания Mitsubishi Electric Corporation объявила о создании нового карбид-кремниевого (SiC) силового кристалла с самым высоким КПД* в своем классе. Новые кристаллы разрабатывались для установки в силовые модули и не требуют быстродействующей защитной цепи для отключения питания при скачках тока. Новые компоненты помогут повысить надежность и КПД оборудования силовой электроники, которое используется во многих областях: домашняя электроника, промышленная техника и железнодорожный транспорт.

*На сегодняшний момент новый SiC ключ имеет наивысший КПД среди силовых транзисторов класса 1200, при этом время короткого замыкания превышает 8 мкс

 

Mitsubishi Electric впервые объявила о разработке нового SiC кристалла на международной конференции, прошедшей с 17 по 22 сентября в 2017 году (International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017).

 

 

Повышенная надежность и эффективность новых кристаллов обуславливается новой запатентованной структурой истока. В традиционных MOSFET транзисторах область истока формируется как отдельная зона. Компания Mitsubishi Electric ввела дополнительную зону в область истока для контроля последовательного сопротивления SiC-MOSFET транзистора (рис.1). Использование такой структуры уменьшает плотность избыточных токов в случае короткого замыкания. В результате, сопротивление во включенном состоянии SiC-MOSFET транзистора сократилось на 40% при комнатной температуре, потери мощности - больше, чем на 20% (рис.2), по сравнению с традиционными SiC-MOSFET транзисторами.

Упрощенная топология структуры позволяет использовать технологию в SiC-MOSFET транзисторах с различными рабочими напряжениями. Проверенная и испытанная технология, использующаяся для защиты кремниевых компонентов от разрушения при коротком замыкании,  может быть использована в рассматриваемых SiC-MOSFET транзисторах без доработки. Это гарантирует простоту реализации защитных функций в оборудовании силовой электроники, в которой используются SiC-MOSFET транзисторы.

Подробнее  http://www.mitsubishielectric.com/news/2017/0922.html

 

Сохранить



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Комментарии

IGBT драйвер 8А с усиленной изоляцией в микросхемном корпусе. SCALE-iDriver - новая технология SCALE-2 повышенной надежности для драйверов с рабочим напряжением 1200В
Будьте добры необходим тестовый образец микросхемы SID1182K
Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)
Добрый день! Нас заинтересовали оценочные платы: EVAL_3KW_2LLC_C7_47, можно ли у вас купить данную оценочную плату?


Рубрикатор новостей

По группам компонентов

По производителям

Все новости

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru