Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

15.10.2019

Силовой SiC MOSFET Mitsubishi Electric с уникальной структурой ограничения электрического поля

Компания Mitsubishi Electric Corporation объявила, что разработала MOSFET транзистор для полупроводниковых приборов из карбида кремния (SiC) c затвором траншейного-типа*1и с уникальной структурой ограничения электрического поля для силовых полупроводниковых приборов. Новый транзистор обладает лучшим в своём классе*2 удельным сопротивлением во включенном состоянии: 1,84 мОм* см2 и напряжением пробоя более 1500В.

Применение транзистора в мощных полупроводниковых модулях для силовой электронной аппаратуры позволит сэкономить энергию и уменьшить размеры оборудования. После улучшения характеристик и подтверждения долгосрочной надежности своих новых силовых полупроводниковых приборов Mitsubishi Electric рассчитывает начать серийное использование нового траншейного SIC-MOSFET транзистора после апреля 2021 года.

Mitsubishi Electric анонсировала новый траншейный SIC-MOSFET транзистор на международной конференции посвященной SiC и связанными с ним материалами (ICSCRM) 2019, которая проводится в рамках выставки Kyoto International Conference Center в Японии с 29 сентября по 4 октября.

 

*1 - электрод затвора, расположенный на поверхности траншейной структуры полупроводниковой подложки, используемый для управления током путем подачи напряжения.

*2 - по данным Mitsubishi Electric research от 30 сентября 2019 года, для устройств с напряжением  пробоя свыше 1500В.

 

рис.1.  Вид поперечного сечения обычного планарного SIC-MOSFET (слева) и нового траншейного SiC-MOSFET (справа)

 

Подробнее (рус)

(eng)

Сохранить



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru