Новости

Компания Mitsubishi Electric Corporation объявила, что разработала MOSFET транзистор для полупроводниковых приборов из карбида кремния (SiC) c затвором траншейного-типа^*1и с уникальной структурой ограничения электрического поля для силовых полупроводниковых приборов. Новый транзистор обладает лучшим в своём классе^*2 удельным сопротивлением во включенном состоянии: 1,84 мОм* см² и напряжением пробоя более 1500В.

Применение транзистора в мощных полупроводниковых модулях для силовой электронной аппаратуры позволит сэкономить энергию и уменьшить размеры оборудования. После улучшения характеристик и подтверждения долгосрочной надежности своих новых силовых полупроводниковых приборов Mitsubishi Electric рассчитывает начать серийное использование нового траншейного SIC-MOSFET транзистора после апреля 2021 года.

Mitsubishi Electric анонсировала новый траншейный SIC-MOSFET транзистор на международной конференции посвященной SiC и связанными с ним материалами (ICSCRM) 2019, которая проводится в рамках выставки Kyoto International Conference Center в Японии с 29 сентября по 4 октября.

^*1 - электрод затвора, расположенный на поверхности траншейной структуры полупроводниковой подложки, используемый для управления током путем подачи напряжения.

^*2 - по данным Mitsubishi Electric research от 30 сентября 2019 года, для устройств с напряжением  пробоя свыше 1500В.

рис.1.  Вид поперечного сечения обычного планарного SIC-MOSFET (слева) и нового траншейного SiC-MOSFET (справа)

Подробнее (рус)

(eng)

Сохранить