Новости
 |
06.03.2020 |
|
Новые MOSFET транзисторы CoolMOS™ S7 600В для низкочастотных приложений
Компания Infineon Technologies представила новое семейство транзисторов 600В CoolMOSTM S7 для приложений с высокой плотностью мощности и КПД , в которых MOSFET транзисторы переключаются на низких частотах.
Особенности и характеристики:
- оптимизированные статические потери;
- улучшенное тепловое сопротивление;
- высокая импульсная способность;
- лучшее в области R DS(on);
- транзистор 10мОм в корпусе QDPAK с верхним охлаждением;
- транзистор 22мОм - в самом современном корпусе TO-leadless (TOLL);
- удовлетворяет требованиям стандартов по КПД (например, Titanium для ключевых источников питания), а также по снижению стоимости, снижению количества элементов и уменьшению затрат эксплуатации.
Области применения:
- управляемые мостовые выпрямители;
- инверторы;
- промышленные контроллеры;
- силовые твердотельные реле;
- твердотельные коммутаторы.
Линейка транзисторов разрабатывалась, чтобы сократить статические потери, снизить время переключения, увеличив при этом КПД для приложений с низкой частотой переключений. Транзисторы семейства CoolMOS S7 обладают более низким коэффициентом R DS(on) x A, см. рис (где А - площадь кристалла) по сравнению с семейством CoolMOS 7, что дает снижение потерь при коммутациях во включенном состоянии и снижение стоимости.
Доступность
Транзисторы CoolMOS S7 22 мОм 600 В доступны в корпусах без выводов TOLL и TO-220, 40мОм и 65мОм - в корпусе TOLL. Транзисторы CoolMOS S7 10мОм поступят в продажу в 4ом квартале 2020.
Подробнее >>
Рис. Зависимость R DS(on) x A от блокирующего напряжения
Сохранить
Сохранить
Добавить свой комментарий
