Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

15.06.2020

Новые MOSFET транзисторы CoolSiC™ на 1700В в SMD исполнении для обратноходовых преобразователей

CoolSiC_MOSFET_1700V_TO263-7

Компания Infineon Technologies AG дополнила свое карбид кремниевое семейство CoolSiCTM транзисторами на 1700В.

Новые транзисторы предназначены для вспомогательных источников питания в трехфазных преобразовательных системах: для автомобильных приводов, возобновляемой энергетики, зарядных станций и высоковольтных систем.

Такие устройства обычно работают с мощностями меньше 100Вт. Поэтому разработчики часто предпочитают использовать топологию одноканального обратноходового преобразователя. С новыми транзисторами CoolSiC на 1700В в SMD исполнении эта топология становится доступна для цепей с DC-звеном с напряжением до 1000В DC на входе. Высокая эффективность и надежность вспомогательных преобразователей с использованием обратноходовых конверторов теперь может быть внедрена и в трехфазные системы преобразования. Это позволяет сэкономить место на плате, кроме того уменьшает перечень элементов

Рабочее напряжение 1700В устраняет проблемы при разработке связанные с запасом по перенапряжению и надежностью источников питания. Транзисторы CoolSiC  на основе канавочной технологии (trench)  обладают самыми маленькими емкостями и зарядами затвора для этого класса напряжения. В результате этого уменьшается потеря мощности почти на 50% и на 2,5% увеличивается КПД по сравнению с популярными MOSFET транзисторами на основе кремния с рабочим напряжением 1500В. КПД выше на 0,6% по сравнению с другими MOSFET транзисторами на 1700В. Низкие потери позволяют обойтись без дополнительного охлаждения компактного SMD корпуса.

Новые MOSFET транзисторы рассчитаны на обратноходовые топологии с управляющим напряжением затвор-исток +12В/0В, совместимым с обычными PWM контроллерами. Таким образом, не требуется драйвер затвора и транзистором можно управлять напрямую обратноходовым контроллером. Диапазон сопротивлений во включенном состоянии: 450мОм, 650мОм или 1000мОм. Увеличенное расстояния пробоя по поверхности и по воздуху (creepage and clearance distances): более 7мм.

 

Доступность

MOSFET транзисторы CoolSiC на 1700В в корпусе D²PAK-7L доступны для заказа.

 

Подробнее>>



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru