Новости

Современные силовые установки требуют больших плотностей мощности и компактных размеров для увеличения показателей системы. Компания Infineon решает эту задачу на уровне компонентов. В дополнение к транзисторам на 25В, представленным в феврале, компания Infineon заявила новые низковольтные MOSFET транзисторы OptiMOS^TM на 40В в корпусе Source-Down (SD) PQFN с посадочным местом 3.3 * 3.3 мм. Области применения: импульсные источники питания (SMPS) для серверов и телеком оборудования,  а так же защита аккумуляторов (battery protection), электроинструменты (power tool) и зарядные устройства.

Корпус Source-Down (SD) характеризуется тем, что кремниевый кристалл MOSFET транзистора внутри корпуса перевернут. Таким образом, с платой через теплоотвод соединен исток, а не сток транзистора как обычно. В итоге сопротивление во включенном состоянии R _DS(on) уменьшается на 25% по сравнению с существующей технологией. Тепловое сопротивление переход-корпус (R _thJC) так же значительно улучшается по сравнению с традиционными PQFN корпусами. Транзисторы SD OptiMOS выдерживают токи до 194А длительное время. Кроме того,оптимизируется разводка печатной платы и повышается эффективность её использования.

Доступность

Транзисторы OptiMOS SD 40 V доступны в двух версиях: стандартная и с центральным положением затвора на корпусе (Center-Gate). Вариант с затвором в центре - оптимален для параллельного включения нескольких транзисторов. Оба варианта доступны для заказа.

Подробнее>>