Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  

[Помощь по поиску]


Mitsubishi Electric

Компания «ЭФО», официальный дистрибьютор Mitsubishi Electric по полупроводниковым приборам в России, предлагает следующие группы силовых модулей Mitsubishi:

  • индустриальные IGBT,
  • мощные высоковольтные HVIGBT,  
  • интеллектуальные IGBT,
  • MOSFET и SiC модули.

Выбрать подходящий для Вашего применения модуль можно с помощью следующих ресурсов нашего сайта:

Параметрическая таблица IGBT модулей Mitsubishi

Параметрическая таблица интеллектуальных IGBT модулей Mitsubishi

Каталог IGBT модулей 2019

Каталог SiC продуктов 2019

Каталог High Frequency продуктов 2019

Каталог Silicon RF 2019

Каталог HVIC 2019

Обзор новинок и сводная таблица в буклете "Компоненты Силовой Электроники" 2019-2020

Поставка образцов под проект, техническая поддержка

Сайт Mitsubishi Electric (раздел "Полупроводниковые приборы")

Сайт Mitsubishi Electric (раздел "Силовые Модули")

 

Общепромышленные модули, серия Т

Общепромышленные модули представлены линией стандартных корпусов 34, 48 и 62 мм и низкопрофильных корпусов NX (аналог «Econo») высотой 17 мм. Модули выпускаются на стандартный̆ ряд напряжений 650/1200/1700 В в различных конфигурациях.

Доступны опции, снижающие затраты на сборку:

  • PressFit контакты;
  • нанесенный при производстве термоинтерфейс (PCTIM) с высокой теплопроводностью;
  • подбор по Vce для параллельного включения.

 

Для общепромышленных модулей разработана новая серия T, в которых применен ряд новых технологий.

1. Новая серия кристаллов IGBT 7-го поколения и RFC-диодов обеспечивает низкие статические и динамические потери, прекрасную управляемость du/dt путём изменения Rg.

2. Новые технологии корпусов:

• Для корпусов типа NX используется технология SLC (SoLid Cover Technology) с применением прямой заливки смолой, что дало возможность создать первые модули, свободные от жидких сред. Сбалансированность применяемых материалов позволила снизить эффекты коробления и получить модули, свободные от эффекта вытеснения термоинтерфейса с охладителем, с повышенной стойкостью к термоциклированию, с низким тепловым сопротивлением.

• Для стандартных корпусов использована технология TMS (Thick Metal Substrate) с применением единой монтажной Si3N4 керамической платы с толстым слоем Cu, ультразвуковой сварки силовых терминалов. Это позволило получить очень малое тепловое сопротивление кристалл-корпус, а оптимизированная конструкция позволила увеличить стойкость к термоциклированию и свести к минимуму коробление основания, снизить индуктивность и вес.

Интеллектуальные модули (IPM)

– это модули с интегрированным драйвером затвора, защитными и диагностическими функциями. В настоящее время Mitsubishi переходит на новую единую серию IPM серии G1.

Она отличается следующими особенностями:

• применена новая серия кристаллов IGBT 7-го поколения;

• модули изготавливаются по технологии SLC;

• защита от КЗ использует сенсор тока эмиттера;

• защита по цепям питания;

• защита от перегрева;

• новый драйвер затвора управляет du/dt в зависимости от тока эмиттера;

• выход сигнала ошибки.

IPM выпускаются на напряжения 650/1200/1700 В в конфигурациях 3-фазный инвертор + тормозной ключ или 3-фазный инвертор. Отдельно необходимо отметить уникальный высоковольтный IPM – одиночный ключ 3300 В, 1200 А (PM1200HCE330-1).

Модули HVIGBT

Модули HVIGBT предназначены для применения в транспортных приводах и других преобразователях высокой надежности. Они выпускаются в стандартных корпусах 73/130/190 × 140 × 48 мм (изоляция 10 кВ), 130/190 × 140 × 40 мм (изоляция 6 кВ и 4 кВ) и в корпусах нового стандарта 100 × 140 × 38 мм (конфигурация два ключа в корпусе) серий HV100 (изоляция 10 кВ) и LV100 (изоляция 6 кВ).

Для модулей серии X разработано новое поколение кристаллов IGBT 7-го поколения и RFC- диодов.

Новые кристаллы в сочетании с новым изоляционным гелем могут работать при температурах от −50 до +150 °С, а при хранении от −55 °С. Они имеют пониженные статические и динамические потери, расширенную область безопасной работы, низкое тепловое сопротивление благодаря новой LNFLR-технологии. Все это позволило достичь номинального тока 1000 A/корпус 190 мм для 6500 В и 1800 A/корпуса для 3300 В модулей. Для корпуса LV100 достигнут ток 2 × 600 А / 3300 В. Модули серии HV100 находятся в процессе разработки.

Модули серий HV100 и LV100 выполнены на кристаллах серии X, имеют новую структуру на алюминиевом основании с AlN-изоляцией. Главное преимущество новой структуры модуля состоит в уменьшении теплового сопротивления между переходом и корпусом (Rth(j-c)) на 25%, что эффективно снижает термические напряжения. Достигнуто это за счет применения технологии MCB (Metal Casting direct Bonding) для соединения керамической AlN-подложки непосредственно с Al-основанием, что позволило исключить слой припоя между подложкой и основанием. Кроме того, применен новый припой Sn-Sb, толщина которого на 40% меньше ранее применяемого Pb-Sn, при сохранении надежности. Sn-Sb припой также имеет лучшую теплопроводность.

 

Модули серий HV100/LV100

Модули серий HV100 и LV100 отличаются низкой индуктивностью, малым тепловым сопротивлением и высокой стойкостью к термоциклированию.

 

 

 

 

MOSFET- и SiC-модули

В производственной программе Mitsubishi есть модули MOSFET на рабочие напряжения от 75 до 150 В и токи от 100 до 300 А в конфигурации 6 ключей в корпусе, обладающие малым сопротивлением во включенном состоянии, достигающим Rds[on]=0,87 mΩ@125 °C для модулей FM600TU-07A.

Компания Mitsubishi выпускает SiC-модули на напряжение 1200 В в конфигурациях: H-мост на 400 А; полумост на 800 А. Опыт применения модулей показал необходимость очень быстродействующей защиты от КЗ, поэтому компанией Mitsubishi разработаны интегрированные в корпус модуля быстродействующий датчик режима КЗ и защита. Новый модуль получил наименование FMF800DX2-24A (размеры 122×92,3×17мм).

В стадии разработки находится полумостовой SiC-модуль в корпусе LV100, напряжение 3300 В / 750 А.

 


 

Основными направлениями деятельности японской корпорации «Мицубиси Электрик» являются: энергетика и электрические системы, системы промышленной автоматики, информационные и коммуникационные системы, оборудование для жилых домов, а также электронные устройства. 

Продукция подразделения электронных устройств включает в себя, в первую очередь, силовые полупроводниковые приборы и радиочастотные и СВЧ компоненты.


Сайт Mitsubishi Electric (раздел "Полупроводниковые приборы")

Сайт Mitsubishi Electric (раздел "Силовые Модули")


Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru