Силовые полупроводники:
IGBT модули

Силовые модули на основе IGBT транзисторов широко применяются в преобразовательной технике, вытесняя биполярные силовые приборы. В программе поставок «ЭФО» представлены модули мировых лидеров в области силовых полупроводников, охватывающие диапазон рабочих напряжений 600/1200/1700/3300/4500/6500 В и токов от 50 до 3600 А. Конфигурации модулей IGBT – от одиночного силового ключа и чоппера до полного трехфазного моста и однофазной трехуровневой схемы. Кристаллы модулей изготовлены по самым передовым полупроводниковым технологиям, позволяющим получить максимальную температуру перехода +175ºС, низкое падение напряжения во включенном состоянии и низкие коммутационные потери, что в конечном счете повышает надежность модулей на их основе. Конструктивно модули выполнены как в стандартных промышленных корпусах серий 34 мм, 62 мм, 140×190 и 140×130 мм (IHV/IHM), так и в фирменных конструктивах, например, PrimePACK. Модули большой мощности предназначены для использования как в промышленных приложениях (медная подложка), так и для транспортных применений (подложка из AlSiC).