Новости

Компания Infineon Technologies представила новое семейство транзисторов 600В CoolMOS^TM S7  для приложений с высокой плотностью мощности и КПД , в которых MOSFET транзисторы переключаются на низких частотах.

Особенности и характеристики:

• оптимизированные статические потери;
• улучшенное тепловое сопротивление;
• высокая импульсная способность;
• лучшее в области R _DS(on);
• транзистор 10мОм в корпусе QDPAK с верхним охлаждением;
• транзистор 22мОм - в самом современном корпусе TO-leadless (TOLL);
• удовлетворяет требованиям стандартов по КПД (например, Titanium для ключевых источников питания), а также по снижению стоимости, снижению количества элементов и уменьшению затрат эксплуатации.

Области применения:

• управляемые мостовые выпрямители;
• инверторы;
• промышленные контроллеры;
•  силовые твердотельные реле;
• твердотельные коммутаторы.

Линейка транзисторов разрабатывалась, чтобы сократить статические потери, снизить время переключения, увеличив при этом КПД для приложений с низкой частотой переключений. Транзисторы семейства CoolMOS S7 обладают более низким коэффициентом R _DS(on) x A, см. рис (где А - площадь кристалла) по сравнению с семейством CoolMOS 7, что дает снижение потерь при коммутациях во включенном состоянии и снижение стоимости.

Доступность

Транзисторы CoolMOS S7 22 мОм 600 В доступны в корпусах без выводов TOLL и TO-220, 40мОм и 65мОм - в корпусе TOLL. Транзисторы CoolMOS S7 10мОм поступят в продажу в 4ом квартале 2020.

Подробнее >>

Рис. Зависимость R _DS(on) x A от блокирующего напряжения

Сохранить

Сохранить