Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

30.07.2018

Самая высокая плотность мощности IGBT транзисторов 650В в корпусе D2PAK

D2PAK_TRENCHSTOP5

Компания Infineon Technologies AG расширяет линейку IGBT транзисторов, выполненных по TRENCHSTOPTM5 технологии на основе тонких подложек кремния. Новое семейство - это транзисторы с рабочим напряжением 650В и током до 40А, совмещенные с диодом на 40А в корпусе для поверхностного монтажа TO-263-3, также известном как D2PAK. Новые IGBT  транзисторы TRENCHSTOP 5 в корпусе D2PAK отвечают возрастающему спросу на большую плотность мощности в силовых компонентах для автоматизированного монтажа на поверхность.

 

Области применения:

  • инверторы для солнечной энергетики;
  • бесперебойные источники питания (UPS);
  • зарядные устройства;
  • накопители энергии

 

Технология ультратонких кремниевых пластин TRENCHSTOP 5 компании Infineon позволяет добиться большей плотности мощности на кристалле меньших размеров. Таким образом, Infineon впервые объединил IGBT транзистор на 650В и 40А с диодом 40А в корпусе D2PAK. По сравнению с конкурентными транзисторами с встроенным диодом в корпусе D2PAK, новое семейство предлагает на 25% большую мощность.

 

Высокая плотность мощности новых транзисторов позволяет разработчикам усовершенствовать существующие системы, разработать новые платформы с КПД на 25% выше или сократить количество силовых устройств, используемых параллельно, создавая таким образом более компактные устройства. Уникальная компоновка транзистора и диода на 40А в корпусе D2PAK может быть использована как альтернатива корпусу D3PAK или TO-247, используемого для поверхностного монтажа. Это позволяет упростить пайку, что в свою очередь ускоряет сборку и делает ее более надежной.

 

Доступность

Новые IGBT транзисторы TRENCHSTOP 5 650В в корпусе D2PAK запущены в массовое производство. В семействе представлены одиночные IGBT транзисторы с токами 15A, 20A, 30A, а также транзисторы на токи 15А, 20A, 30A и 40A, совмещенные с диодом на полный ток.

 

Подробнее  www.infineon.com/trenchstop5/d2pak.



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Комментарии

IGBT драйвер 8А с усиленной изоляцией в микросхемном корпусе. SCALE-iDriver - новая технология SCALE-2 повышенной надежности для драйверов с рабочим напряжением 1200В
Будьте добры необходим тестовый образец микросхемы SID1182K
Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)
Добрый день! Нас заинтересовали оценочные платы: EVAL_3KW_2LLC_C7_47, можно ли у вас купить данную оценочную плату?


Рубрикатор новостей

По группам компонентов

По производителям

Все новости

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru