Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  

[Помощь по поиску]


Силовые полупроводники:
Кристаллы IGBT

Помимо модулей и дискретных IGBT транзисторов, в программе поставок представлены бескорпусные кристаллы IGBT и быстрые антипараллельные диоды FRD, на базе которых потребитель может изготовить IGBT модули собственной разработки. Номенклатура IGBT чипов, изготовленных по модификациям TRENCHSTOP технологий, насчитывает более 120 типов. Диапазоны рабочих напряжений 600/1200/1700 В, рабочие токи от 10 А до 200 А, падение напряжения на включенном транзисторе в зависимости от технологии изготовления, рабочего напряжения и быстродействия составляет от 1,85 В (IGBT3) до 3,7 В (Fast IGBT2). Номенклатура диодов с быстрым восстановлением (FRD) насчитывает более 70 типов на напряжения 600/1200/1700 В и токи до 300 А. Все кристаллы поставляются в виде пластины, разделенной на транзисторные (диодные) структуры, закрепленные на подложке-носителе в специальной технологической упаковке.

 Настройка таблицы Вы можете включать/отключать колонки таблицы
 Настройка таблицы Вы можете включать/отключать колонки таблицы
 
  Производитель
 
  Uкэ, В
 
  Iк макс, А
 
  U нас max, В
 
  Uзэ порог min, В
 
  Iк имп макс, А
 
  Технология
 
  Кристалл
 
  T раб , °C min
 
  T раб , °C max
 
  Кол-во кристаллов на пластине, шт
 
  Область применения
Включить все колонки Только основные колонки Сбросить все фильтры
 
Ссылка на текущее состояние таблицы:
 

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru