|
|
|
|
|
|
Помощь по поиску
На efo-power.ru работает 3 вида поиска: «По компонентам», «По документам»,
«По сайту».
- При выборе опции «По компонентам» осуществляется поиск компонентов силовой электроники по артикулам. Поиск ведется по точному совпадению. Кроме того, Вы можете ввести в строку поиска только первые символы артикула.
- При включенной опции «По документам» будет вестись поиск материалов (статьи, application notes и т.д.) в формате PDF.
- При выборе чекбокса «По сайту» будет осуществляться полнотекстовый поиск по остальным материалам сайта.
|
|
|
|
|
Силовые полупроводники:
Кристаллы IGBT Помимо модулей и дискретных IGBT транзисторов, в программе поставок представлены бескорпусные кристаллы IGBT и быстрые антипараллельные диоды FRD, на базе которых потребитель может изготовить IGBT модули собственной разработки. Номенклатура IGBT чипов, изготовленных по модификациям TRENCHSTOP технологий, насчитывает более 120 типов. Диапазоны рабочих напряжений 600/1200/1700 В, рабочие токи от 10 А до 200 А, падение напряжения на включенном транзисторе в зависимости от технологии изготовления, рабочего напряжения и быстродействия составляет от 1,85 В (IGBT3) до 3,7 В (Fast IGBT2). Номенклатура диодов с быстрым восстановлением (FRD) насчитывает более 70 типов на напряжения 600/1200/1700 В и токи до 300 А. Все кристаллы поставляются в виде пластины, разделенной на транзисторные (диодные) структуры, закрепленные на подложке-носителе в специальной технологической упаковке.
Настройка таблицы
Вы можете включать/отключать колонки таблицы
Настройка таблицы
Вы можете включать/отключать колонки таблицы
|
|
Производитель
|
|
|
Uкэ, В
|
|
|
Iк макс, А
|
|
|
U нас max, В
|
|
|
Uзэ порог min, В
|
|
|
Iк имп макс, А
|
|
|
Технология
|
|
|
Кристалл
|
|
|
T раб , °C min
|
|
|
T раб , °C max
|
|
|
Кол-во кристаллов на пластине, шт
|
|
|
Область применения
|
|
Включить все колонки
Только основные колонки
|
Сбросить все фильтры |
|
