|
|
Устройства для управления мощными IGBT и MOSFET транзисторами, а также модулями на их основе, конструктивно представляют собой радиоэлектронные модули, выполненные на печатных платах с применением поверхностного монтажа, содержащие логическую и силовую часть, гальванически изолированные друг от друга. Силовая часть схемы обеспечивает необходимую мощность управления затворами IGBT транзисторов. ЭФО является дистрибьютором швейцарской фирмы Power Integrations , мирового лидера в производстве драйверов для IGBT модулей средней и большой мощности, применяемых в преобразователях с выходной мощностью от 10кВт доя десятков МВт. Для преобразовательных устройств на основе IGBT/MOSFET (до 1700В) с выходной мощностью до 10кВт предлагаем драйверы серии EiceDRIVER производства Infineon Technologies.
Для разработчиков собственных драйверов IGBT предлагаются специализированные гальванически изолированные модульные DC/DC преобразователи производства RECOM (два канала по 1W) специально предназначенные для работы в схемах с IGBT-драйверами. Благодаря асимметричному выходу +15 В и -9В модули идеальны для питания IGBT драйверов, таким образом, один преобразователь можно использовать в схемах, где ранее требовалось два модуля.
- ядра драйверов IGBT/MOSFET на базе технологии SCALE и SCALE-2
 (модули на базе двух заказных микросхем, выполняющие все основные функции драйвера по управлению коммутацией ключа, обеспечению необходимых защит, и т.д.)
- Plug&Play IGBT драйверы - драйверы для конкретных типов модулей различных производителей (см. табл.);
- DC/DC источники питания для высоковольтных IGBT драйверов (3300 В, 6500 В)
- Базовые платы-конструкторы для ускорения разработки драйверов силами разработчиков преобразователей на основе двухканальных ядер SCALE-2: 2BB0108T и 2BB0435T.
 Новинка Power Integrations – базовые платы – «конструктор» для быстрой самостоятельной разработки экономичного 2-х канального драйвера IGBT для модулей средней и большой мощности с рабочими напряжениями 600/1200/1700В. Выходные токи драйверов 8 А и 35 А на канал. Время задержки вкл/выкл 80 нс. Платы поддерживают 2-х, 3-х, многоуровневые и параллельные топологии инверторов. Для плат доступны: полное техническое описание, информация по применению, принципиальные электрические схемы, Gerber-файлы для изготовления печатных плат.
|
