Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  

[Помощь по поиску]


Mitsubishi Electric

Компания «ЭФО», официальный дистрибьютор Mitsubishi Electric по полупроводниковым приборам в России, предлагает следующие группы силовых модулей Mitsubishi:

  • индустриальные IGBT,
  • мощные высоковольтные HVIGBT,  
  • интеллектуальные IGBT,
  • MOSFET и SiC модули.

Выбрать подходящий для Вашего применения модуль можно с помощью следующих ресурсов нашего сайта:

Параметрическая таблица IGBT модулей Mitsubishi

Параметрическая таблица интеллектуальных IGBT модулей Mitsubishi

Каталог IGBT модулей 2017

Каталог SiC продуктов 2017

Обзор новинок и сводная таблица в буклете "Компоненты Силовой Электроники" 2017-2018

Поставка образцов под проект, техническая поддержка

Общепромышленные модули, серия Т

Общепромышленные модули представлены линией стандартных корпусов 34, 48 и 62 мм и низкопрофильных корпусов NX (аналог «Econo») высотой 17 мм. Модули выпускаются на стандартный̆ ряд напряжений 650/1200/1700 В в различных конфигурациях.

Доступны опции, снижающие затраты на сборку:

  • PressFitконтакты;
  • нанесенный при производстве термоинтерфейс (PCTIM) с высокой теплопроводностью;
  • подбор по Vce для параллельного включения.

 

Для общепромышленных модулей разработана новая серия T, в которых применен ряд новых технологий.

1. Новая серия кристаллов IGBT 7-го поколения и RFC-диодов обеспечивает низкие статические и динамические потери, прекрасную управляемость du/dt путём изменения Rg.

2. Новые технологии корпусов:

• Для корпусов типа NX используется технология SLC (SoLid Cover Technology) с применением прямой заливки смолой, что дало возможность создать первые модули, свободные от жидких сред. Сбалансированность применяемых материалов позволила снизить эффекты коробления и получить модули, свободные от эффекта вытеснения термоинтерфейса с охладителем, с повышенной стойкостью к термоциклированию, с низким тепловым сопротивлением.

• Для стандартных корпусов использована технология TMS (Thick Metal Substrate) с применением единой монтажной Si3N4 керамической платы с толстым слоем Cu, ультразвуковой сварки силовых терминалов. Это позволило получить очень малое тепловое сопротивление кристалл-корпус, а оптимизированная конструкция позволила увеличить стойкость к термоциклированию и свести к минимуму коробление основания, снизить индуктивность и вес.

Интеллектуальные модули (IPM)

– это модули с интегрированным драйвером затвора, защитными и диагностическими функциями. В настоящее время Mitsubishi переходит на новую единую серию IPM серии G1.

Она отличается следующими особенностями:

• применена новая серия кристаллов IGBT 7-го поколения;

• модули изготавливаются по технологии SLC;

• защита от КЗ использует сенсор тока эмиттера;

• защита по цепям питания;

• защита от перегрева;

• новый драйвер затвора управляет du/dt в зависимости от тока эмиттера;

• выход сигнала ошибки.

IPM выпускаются на напряжения 650/1200/1700 В в конфигурациях 3-фазный инвертор + тормозной ключ или 3-фазный инвертор. Отдельно необходимо отметить уникальный высоковольтный IPM – одиночный ключ 3300 В, 1200 А (PM1200HCE330-1).

Модули HVIGBT

Модули HVIGBT предназначены для применения в транспортных приводах и других преобразователях высокой надежности. Они выпускаются в стандартных корпусах 73/130/190 × 140 × 48 мм (изоляция 10 кВ), 130/190 × 140 × 40 мм (изоляция 6 кВ и 4 кВ) и в корпусах нового стандарта 100 × 140 × 38 мм (конфигурация два ключа в корпусе) серий HV100 (изоляция 10 кВ) и LV100 (изоляция 6 кВ).

Для модулей серии X разработано новое поколение кристаллов IGBT 7-го поколения и RFC- диодов.

Новые кристаллы в сочетании с новым изоляционным гелем могут работать при температурах от −50 до +150 °С, а при хранении от −55 °С. Они имеют пониженные статические и динамические потери, расширенную область безопасной работы, низкое тепловое сопротивление благодаря новой LNFLR-технологии. Все это позволило достичь номинального тока 1000 A/корпус 190 мм для 6500 В и 1800 A/корпуса для 3300 В модулей. Для корпуса LV100 достигнут ток 2 × 600 А / 3300 В. Модули серии HV100 находятся в процессе разработки.

Модули серий HV100 и LV100 выполнены на кристаллах серии X, имеют новую структуру на алюминиевом основании с AlN-изоляцией. Главное преимущество новой структуры модуля состоит в уменьшении теплового сопротивления между переходом и корпусом (Rth(j-c)) на 25%, что эффективно снижает термические напряжения. Достигнуто это за счет применения технологии MCB (Metal Casting direct Bonding) для соединения керамической AlN-подложки непосредственно с Al-основанием, что позволило исключить слой припоя между подложкой и основанием. Кроме того, применен новый припой Sn-Sb, толщина которого на 40% меньше ранее применяемого Pb-Sn, при сохранении надежности. Sn-Sb припой также имеет лучшую теплопроводность.

 

Модули серий HV100/LV100

Модули серий HV100 и LV100 отличаются низкой индуктивностью, малым тепловым сопротивлением и высокой стойкостью к термоциклированию.

 

 

 

 

MOSFET- и SiC-модули

В производственной программе Mitsubishi есть модули MOSFET на рабочие напряжения от 75 до 150 В и токи от 100 до 300 А в конфигурации 6 ключей в корпусе, обладающие малым сопротивлением во включенном состоянии, достигающим Rds[on]=0,87 mΩ@125 °C для модулей FM600TU-07A.

Компания Mitsubishi выпускает SiC-модули на напряжение 1200 В в конфигурациях: H-мост на 400 А; полумост на 800 А. Опыт применения модулей показал необходимость очень быстродействующей защиты от КЗ, поэтому компанией Mitsubishi разработаны интегрированные в корпус модуля быстродействующий датчик режима КЗ и защита. Новый модуль получил наименование FMF800DX2-24A (размеры 122×92,3×17мм).

В стадии разработки находится полумостовой SiC-модуль в корпусе LV100, напряжение 3300 В / 750 А.

 


 

Основными направлениями деятельности японской корпорации «Мицубиси Электрик» являются: энергетика и электрические системы, системы промышленной автоматики, информационные и коммуникационные системы, оборудование для жилых домов, а также электронные устройства. 

Продукция подразделения электронных устройств включает в себя, в первую очередь, силовые полупроводниковые приборы и радиочастотные и СВЧ компоненты.

Сайт производителя: www.mitsubishielectric.com


Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru