|
|
|
|
|
|
Помощь по поиску
На efo-power.ru работает 3 вида поиска: «По компонентам», «По документам»,
«По сайту».
- При выборе опции «По компонентам» осуществляется поиск компонентов силовой электроники по артикулам. Поиск ведется по точному совпадению. Кроме того, Вы можете ввести в строку поиска только первые символы артикула.
- При включенной опции «По документам» будет вестись поиск материалов (статьи, application notes и т.д.) в формате PDF.
- При выборе чекбокса «По сайту» будет осуществляться полнотекстовый поиск по остальным материалам сайта.
|
|
|
|
|
Силовые полупроводники:
Дискретные IGBT Диапазон рабочих напряжений поставляемых ЭФО дискретных IGBT транзисторов составляет 600/1200 В, ток до 150 А, корпуса от SMD до TO-247. Применяются как кристаллы IGBT, произведенные по технологиям trench и fieldstop с очень низкими статическими потерями, так и быстрые кристаллы со скоростями переключения до 100 кГц и токами до 100 А. Особо следует отметить 3-е поколение «RC» IGBT транзисторов со встроенным монолитным обратным диодом. Они имеют лучшие в отрасли показатели по потерям переключения, мягкую характеристику переключения и рабочее напряжение до 1600 В.
Настройка таблицы
Вы можете включать/отключать колонки таблицы
Настройка таблицы
Вы можете включать/отключать колонки таблицы
|
|
Производитель
|
|
|
Uкэ, В
|
|
|
Iк макс, А
|
|
|
U нас тип, В
|
|
|
Iк имп макс, А
|
|
|
Rtпк, К/Вт
|
|
|
Частота коммутации, кГц
|
|
|
Конфигурация
|
|
|
Тип корпуса
|
|
|
Область применения
|
|
|
T раб , °C min
|
|
|
T раб , °C max
|
|
Включить все колонки
Только основные колонки
|
Сбросить все фильтры |
|
