Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  

[Помощь по поиску]


Силовые полупроводники:
Дискретные IGBT

Диапазон рабочих напряжений поставляемых ЭФО дискретных IGBT транзисторов составляет 600/1200 В, ток до 150 А, корпуса от SMD до TO-247. Применяются как кристаллы IGBT, произведенные по технологиям trench и fieldstop с очень низкими статическими потерями, так и быстрые кристаллы со скоростями переключения до 100 кГц и токами до 100 А. Особо следует отметить 3-е поколение «RC» IGBT транзисторов со встроенным монолитным обратным диодом. Они имеют лучшие в отрасли показатели по потерям переключения, мягкую характеристику переключения и рабочее напряжение до 1600 В.

 Настройка таблицы Вы можете включать/отключать колонки таблицы
 Настройка таблицы Вы можете включать/отключать колонки таблицы
 
  Производитель
 
  Uкэ, В
 
  Iк макс, А
 
  U нас тип, В
 
  Iк имп макс, А
 
  Rtпк, К/Вт
 
  Частота коммутации, кГц
 
  Конфигурация
 
  Тип корпуса
 
  Область применения
 
  T раб , °C min
 
  T раб , °C max
Включить все колонки Только основные колонки Сбросить все фильтры
 
Ссылка на текущее состояние таблицы:
 

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru