  Новости
Новые силовые MOSFET модули семейства CoolSiC™ для UPS и зарядных устройств
В ответ на растущий спрос на компоненты на карбиде кремния (SiC), компания Infineon Technologies представляет новые MOSFET модули в семействе 1200V CoolSiCTM. Модули CoolSiC Easy 2B позволяют сократить стоимость системы за счёт повышения плотности мощности. Кроме того, они помогают снизить затраты при работе системы. Потери на коммутацию меньше почти на 80%, по сравнению с кремниевыми IGBT модулями, что повышает КПД инвертора до 99%. Благодаря специфическим характеристикам карбида кремния (SiC), возможна работа на более высоких частотах переключения. Это отличное решение для приложений с быстрым переключением, таких как UPS, и системы накопления энергии. Стандартный корпус Easy 2B для силовых модулей характеризуется самым низкой в своем классе паразитной индуктивностью. Компания Infineon предлагает самый широкий спектр топологий на основе карбида кремния в частности полумост, три полумоста и бустерные модули. Конфигурация полумост CoolSiC Easy 2B может быть использована для создания полных однофазных и трехфазных мостов. Новые модули расширяют диапазон мощности в топологии полумост с сопротивлением во включённом состоянии (R DS(ON)) на один ключ до 6 мОм. Это рекордная на сегодня характеристика компонентов в корпусе Easy 2B. Кроме того, встроенный обратный диод гарантирует минимальные потери без необходимости устанавливать дополнительный диод. При этом встроенный датчик температуры на основе термосопротивления (NTC) облегчает мониторинг устройства, а технология PressFIT сокращает время установки компонентов.
Доступность Модули CoolSiC MOSFET Easy 2B доступны для заказа. Недавно компания Infineon представила первый CoolSiCTM MOSFET модуль в конфигурации 3 полумоста в корпусе Easy 1B с сопротивлением во включенном состоянии R DS(ON) 45мОм
Подробнее>> Добавить свой комментарий
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
