Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

30.03.2020

Новые MOSFET транзисторы на 650В в семействе CoolSiC™

650V_CoolSiC_TO247-3

Компания Infineon Technologies продолжает расширять линейку продуктов на карбиде кремния (SiC) новыми транзисторами на 650В.

Области применения:

  • серверы;
  • импульсные источники питания для телеком и промышленных приложений;
  • солнечная энергетика;
  • накопители энергии и оборудование для формирования аккумуляторных батарей при производстве;
  • бесперебойные источники питания (UPS);
  • приводы;
  •  зарядные станции для электромобилей.

 

Особенности и характеристики

  • 650В;
  • 27мОм и 107мОм;
  • 2 корпуса: классический TO-247 с 3 выводами и TO-247 с 4 выводами;
  • низкие потери при переключении;
  • основаны на самой современной канавочной (trench) полупроводниковой технологии;
  • высокая надежность и самые низкие в своем классе потери проводимости;
  • наивысший коэффициент передачи (усиления);
  •  пороговое напряжение Vth 4В;
  • устойчивость к короткому замыканию.

 

MOSFET модули 650В CoolSiC обладают очень привлекательными преимуществами по сравнению с другими кремниевыми и карбид-кремниевыми решениями на рынке, такими как эффективность переключения на более высоких частотах и непревзойдённая надежность. Модули могут похвастаться прочными и стабильными встроенными обратными диодами, сохраняющими очень низкий обратный заряд (Q rr), примерно на 80% ниже, чем у MOSFET транзисторов Superjunction CoolMOSTM. Коммутационная устойчивость помогает достичь КПД системы 98%, например, за счёт использования коррекции коэффициента мощности (PFC).

 

Для облегчения разработки устройств на основе MOSFET транзисторов CoolSiC 650В и обеспечения высокого качества работы, Infineon предлагает одно- и двухканальные гальванически изолированные специально разработанные для CoolSiC микросхемы драйверов семейства EiceDRIVERTM. Это сочетание - CoolSiC ключи и драйвер - помогает снизить стоимость системы, а также стоимость обслуживания и обеспечит сбережение энергии. Новые модули также хорошо работают и с другими микросхемами семейства EiceDRIVER.

 

Доступность

Все модули семейства CoolSiC MOSFET 650В доступны для заказа. Специализированые микросхемы  EiceDRIVERTM будут доступны в марте.

 

Подробнее>>



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru