Новости

Компания Infineon Technologies продолжает расширять линейку продуктов на карбиде кремния (SiC) новыми транзисторами на 650В.

Области применения:

• серверы;
• импульсные источники питания для телеком и промышленных приложений;
• солнечная энергетика;
• накопители энергии и оборудование для формирования аккумуляторных батарей при производстве;
• бесперебойные источники питания (UPS);
• приводы;
•  зарядные станции для электромобилей.

Особенности и характеристики

• 650В;
• 27мОм и 107мОм;
• 2 корпуса: классический TO-247 с 3 выводами и TO-247 с 4 выводами;
• низкие потери при переключении;
• основаны на самой современной канавочной (trench) полупроводниковой технологии;
• высокая надежность и самые низкие в своем классе потери проводимости;
• наивысший коэффициент передачи (усиления);
•  пороговое напряжение V_th 4В;
• устойчивость к короткому замыканию.

MOSFET модули 650В CoolSiC обладают очень привлекательными преимуществами по сравнению с другими кремниевыми и карбид-кремниевыми решениями на рынке, такими как эффективность переключения на более высоких частотах и непревзойдённая надежность. Модули могут похвастаться прочными и стабильными встроенными обратными диодами, сохраняющими очень низкий обратный заряд (Q _rr), примерно на 80% ниже, чем у MOSFET транзисторов Superjunction CoolMOS^TM. Коммутационная устойчивость помогает достичь КПД системы 98%, например, за счёт использования коррекции коэффициента мощности (PFC).

Для облегчения разработки устройств на основе MOSFET транзисторов CoolSiC 650В и обеспечения высокого качества работы, Infineon предлагает одно- и двухканальные гальванически изолированные специально разработанные для CoolSiC микросхемы драйверов семейства EiceDRIVER^TM. Это сочетание - CoolSiC ключи и драйвер - помогает снизить стоимость системы, а также стоимость обслуживания и обеспечит сбережение энергии. Новые модули также хорошо работают и с другими микросхемами семейства EiceDRIVER.

Доступность

Все модули семейства CoolSiC MOSFET 650В доступны для заказа. Специализированые микросхемы  EiceDRIVER^TM будут доступны в марте.

Подробнее>>