Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

18.05.2020

Новые MOSFET полумостовые SiC модули в корпусе 62мм на ток до 500А

FF6MR12

Доступны для заказа MOSFET модули 1200В на карбиде кремния (SiC) в корпусе 62мм на токи до 250,375 и 500А, напряжение изоляции 4кВ, низкие потери переключения на токах до 500А.

Области применения: преобразователи с высокой скоростью переключения (DC/DC источники питания, UPS системы,индукционный нагрев).

FF2MR12KM1

FF3MR12KM1

FF6MR12KM1



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru