Новости
 |
22.03.2021 |
|
Семейство гибридных дискретных IGBT транзисторов CoolSiC™ Hybrid с рабочим напряжением 650В

Компания Infineon представила семейство CoolSiCTM Hybrid IGBT в дискретном корпусе с блокирующим напряжением 650В. Транзисторы на основе кремния по технологии TRENCHSTOPTM 5 IGBT на 650В скомбинированы с карбид-кремниевыми обратными диодами Шоттки. Благодаря повышенной частоте коммутаций и меньшим потерям коммутации, новые транзисторы отлично подходят для DC-DC конверторов и компенсации реактивной мощности (PFC).
Области применения:
- зарядные устройства;
- аккумуляторы;
- фотоэлектрические инверторы;
- источники бесперебойного питания (UPS);
- импульсные источники питания (SMPS).
Благодаря совмещению обратного SiC диода Шоттки в одном корпусе с кремниевым IGBT кристаллом, транзисторы серии CoolSiC Hybrid работают со значительно сокращенными потерями переключения при неизменных значениях dv/dt и di/dt. Уменьшено до 60% значение E on и на 30% - E off, по сравнению со стандартными кремниевыми обратными диодами. И наоборот, можно увеличить частоту переключений почти на 40% с неизменными требованиями по выходной мощности. Более высокая частота переключений позволит сократить размеры пассивных компонентов и сократит стоимость системы. IGBT транзисторы серии Hybrid могут заменить транзисторы TRENCHSTOP 5, обеспечивая больший КПД: 0,1% на каждые 10кГц частоты переключений без изменения схемы.
Семейство CoolSiCTM Hybrid своеобразный мост между кремниевыми компонентами и высокопроизводительными SiC MOSFET транзисторами. Даже, в сравнении с полностью кремниевыми компонентами, Hybrid IGBT транзисторы позволяют улучшить электромагнитную совместимость и общую надёжность системы. Благодаря униполярной природе барьера Шоттки, диоды могут переключаться быстрее без паразитных осцилляций и рисков самопроизвольного включения. Выпускаются в двух корпусах: TO-247-3 и TO-247-4 с эмиттером Кельвина. Корпус с эмиттерным выводом Кельвина позволяет получить ультранизкую индуктивность в контуре управления затвор-эмиттер и сократить потери переключения.
Доступность
Дискретные транзисторы семейства CoolSiC Hybrid следуют за ранее представленной успешной серией гибридных модулей CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACKTM 1B и 2B с IGBT кристаллом и CoolSiC диодом Шоттки. Все транзисторы доступны для заказа.
В серию входят транзисторы с током 40, 50 и 75А на напряжение 650В:
- TRENCHSTOP 5 ультра-быстрые H5 IGBT кристаллы и CoolSiC диоды 6го поколения
- IGBT S5 кристаллы и CoolSiC диоды 6го поколения.
Подробнее>>
Добавить свой комментарий