Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

22.03.2021

Семейство гибридных дискретных IGBT транзисторов CoolSiC™ Hybrid с рабочим напряжением 650В

CoolSiC 650V Hybrid IGBT 3pin

Компания Infineon представила семейство CoolSiCTM Hybrid IGBT в дискретном корпусе с блокирующим напряжением 650В. Транзисторы на основе кремния по технологии TRENCHSTOPTM 5 IGBT на 650В скомбинированы с карбид-кремниевыми обратными диодами Шоттки. Благодаря повышенной частоте коммутаций и меньшим потерям коммутации, новые транзисторы отлично подходят для DC-DC конверторов и компенсации реактивной мощности (PFC).

 

Области применения:

  • зарядные устройства;
  • аккумуляторы;
  • фотоэлектрические инверторы;
  • источники бесперебойного питания (UPS);
  • импульсные источники питания (SMPS).

 

Благодаря совмещению обратного SiC диода Шоттки в одном корпусе с кремниевым IGBT кристаллом, транзисторы серии CoolSiC Hybrid работают со значительно сокращенными потерями переключения при неизменных значениях dv/dt и di/dt. Уменьшено до 60% значение E on и на 30% - E off, по сравнению со стандартными кремниевыми обратными диодами. И наоборот, можно увеличить частоту переключений почти на 40% с неизменными требованиями по выходной мощности. Более высокая частота переключений позволит сократить размеры пассивных компонентов и сократит стоимость системы. IGBT транзисторы серии Hybrid могут заменить транзисторы TRENCHSTOP 5, обеспечивая больший КПД: 0,1% на каждые 10кГц частоты переключений без изменения схемы.

 

Семейство CoolSiCTM Hybrid своеобразный мост между кремниевыми компонентами и высокопроизводительными SiC MOSFET транзисторами. Даже, в сравнении с полностью кремниевыми компонентами, Hybrid IGBT транзисторы позволяют улучшить электромагнитную совместимость и общую надёжность системы. Благодаря униполярной природе барьера Шоттки, диоды могут переключаться быстрее без паразитных осцилляций и рисков самопроизвольного включения. Выпускаются в двух корпусах: TO-247-3 и TO-247-4 с эмиттером Кельвина. Корпус с эмиттерным выводом Кельвина позволяет получить ультранизкую индуктивность в контуре управления затвор-эмиттер и сократить потери переключения.

 

Доступность

Дискретные транзисторы семейства CoolSiC Hybrid следуют за ранее представленной успешной серией гибридных модулей CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACKTM 1B и 2B с IGBT кристаллом и CoolSiC диодом Шоттки. Все транзисторы доступны для заказа.

В серию входят транзисторы с током 40, 50 и 75А на напряжение 650В:

  • TRENCHSTOP 5 ультра-быстрые H5 IGBT кристаллы и CoolSiC диоды 6го поколения
  • IGBT S5  кристаллы и CoolSiC диоды 6го поколения.

Подробнее>> 



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru
Профессиональные усилители класса D www.sound-power.ru Датчики и первичные преобразователи www.efo-sensor.ru Компоненты для промавтоматики www.efomation.ru
Продукция Lattice Semiconductor www.latticesemi.ru