Новости

 

Компания Infineon Technologies представляет новую серию MOSFET транзисторов OptiMOS^TM 5 150 V, которая расширяет  линейку транзисторов OptiMOS 5-го поколения

Основные характеристики:

• более низкое сопротивление во включенном состоянии R _DS(on) по сравнению с ближайшей альтернативой  > 25%  для корпуса  SuperSO8;
• более низкий выходной заряд;
• самый низкий заряд обратного восстановления - >70%;
• увеличенная надежность коммутаций;
• повышенная  частота переключений.

Основные преимущества:

• отпадает необходимость параллельного подключения нескольких транзисторов;
• компактные размеры;
• устройства с большей плотностью мощности;
• более надежные компоненты;
• снижение стоимости системы;
• устойчивость к электромагнитным помехам.

  

 

Применение:

• низковольтные приводы;
• низковольтные драйверы и синхронные выпрямители;
• телеком источники питания;
• солнечная энергетика.

 

Ассортимент транзисторов OptiMOS^TM 5 150 V

 

R DS(on)max. при V GS=10В [мОм]	TO-263 D 2PAK	TO-263 D 2PAK 7pin	TO-262 I 2PAK	TO-220
4.0-5.1	IPB048N15N5	IPB044N15N5	IPI051N15N5*	IPP051N15N5*
5.2-11.0	IPB073N15N5		IPI076N15N5	IPP076N15N5

*Доступны для заказа в первом квартале 2017г

 

R DS(on)max. при V GS=10В [мОм]	PQFN 3.3x3.3	SuperSO8 PQFN 5x6
5.2-11.0		BSC093N15NS5**
		BSC110N15NS5
>11.0	BSZ300N15NS5*	BSC160N15NS5

* Доступны для заказа в первом квартале 2017г

**Доступна оценочная плата: 

• 3kW dual phase LLC:  EVAL_3KW_2LLC_C7_20

 

Подробнее   http://www.infineon.com/optimos5-150V.

Сохранить

Сохранить