Новости
 
Продукты
 
Библиотека
 
О компании
 
Производители
 
Контакты
 
ENG  



Новости

16.02.2018

Новый силовой SiC модуль на 6,5кВ с рекордной плотностью мощности в корпусе HV100

Компания Mitsubishi Electric представила новый силовой полупроводниковый модуль, полностью выполненный на карбиде кремния, с рабочим напряжением 6,5кВ с наивысшей плотностью мощности (рассчитанной по соответствующим напряжению и току) среди силовых модулей с напряжением от 1,7кВ до 6,5кВ.

 

Высокая плотность мощности достигается за счет того, что в одном SiC кристалле объединены силовой MOSFET ключ и обратный диод, а также использован новый конструктив. MOSFET модуль с высоким КПД в самом компактном корпусе предназначен для использования в высоковольтных преобразователях для ж/д транспорта и промышленных инверторах.

 

Особенности

  • 6,5кВ - самое высокое напряжение свойственное традиционным кремниевым IGBT модулям;
  • технология Full-SiC увеличивает плотность мощности КПД, а также обеспечивает работу на более высоких частотах;
  • Уменьшенная площадь полупроводника благодаря объединению в одном кристалле силового MOSFET ключа и обратного диода;
  • изолирующая подложка с наивысшими тепловыми характеристиками, и надежная технология присоединения кристалла способствует рассеиванию тепла и увеличивает температурный диапазон работы;
  • плотность мощности 9.3 кВА/см3 - самое высокое в мире значение среди силовых модулей с рабочим напряжением 1.7 кВ ... 6.5 кВ.

 

Сравнение Full-SiC модуля и традиционного кремниевого IGBT модуля

 

 

Плотность мощности

Потери мощности

Предполагаемая рабочая частота

Full-SiC модуль

1.8*

1/3

4

традиционный IGBT модуль

1**

1

1

 

 

* соответствует 9,3 кВА/см3

** соответствует 5,1 кВА/см3

 

Примечание:

 данные унифицированы для соответствующих значений традиционных IGBT модулей компании Mitsubishi Electric

Сохранить



Добавить свой комментарий

E-mail не публикуется и не передается третьим лицам
Введите цифры изображенные на картинке



[Помощь по поиску]

Подписаться на новости:

Комментарии

IGBT драйвер 8А с усиленной изоляцией в микросхемном корпусе. SCALE-iDriver - новая технология SCALE-2 повышенной надежности для драйверов с рабочим напряжением 1200В
Будьте добры необходим тестовый образец микросхемы SID1182K
Транзисторы OptiMOS™ 5 на 150В : рекордное снижение сопротивления во включенном состоянии RDS(on) и заряда обратного восстановления (Qrr)
Добрый день! Нас заинтересовали оценочные платы: EVAL_3KW_2LLC_C7_47, можно ли у вас купить данную оценочную плату?


Рубрикатор новостей

По группам компонентов

По производителям

Все новости

Дистрибуция электронных компонентов www.efo.ru © All rights reserved. EFO Ltd.
При использовании материалов
ссылка на источник обязательна.
Создание сайта © 2010 PointDesign™
Конструктивы и корпуса РЭА www.korpusa.ru Микроконтроллеры www.mymcu.ru Микросхемы Altera altera.ru
Источники питания www.powel.ru Мир беспроводных решений www.wless.ru Волоконно-оптические компоненты www.infiber.ru
Кварцевые резонаторы
и генераторы Golledge
www.golledge.ru
Электротехническая продукция www.efo-electro.ru Контрольно-измерительные приборы www.efometry.ru